第493章 CMOS管与米军演习 （1 / 2）

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微电子所内。

沈永健正听着卓邵文说的研制困难。

“永健同志，目前推进的新一代芯片设计，遇到了新瓶颈。”

卓邵文眉头紧锁，将一份厚厚的测试报告推到沈永健面前。

“这还是张伟森与丁八一两位同志率先发现的问题。”

“尤其是丁八一同志之前微处理器的芯片研制，就已经有暴露这些问题…”

沈永健翻阅起报告，这段时间他手头工作不少。

磁悬浮示范区项目建设，五轴五联动的机床还需要设计。

另一块计算机的光纤研制也需要抓紧，不然超级计算机会有局限。

当然，最重要的所里芯片工程自然也没落下，一直保持着关注。

今日卓邵文的问题很明确，即随着集成电路复杂度的提升，需要在单块硅片上集成上万个甚至更多的晶体管。

但现在的晶体管结构，在实际进行这种大规模集成时，功耗和散热成了大问题。

原先四千枚晶体管，包括丁八一上一次微处理器近六千个晶体管的集成，都已经暴露了这问题…

但当时因为集成度还未超过那个临界点，似乎还能勉强接受。

而到了目前过万数量级的集成电路，这一块在物理上有了道难以逾越的瓶颈。

即使最新的仿真软件，也无法在这一方面做出逻辑判断…

“上万枚晶体管同时工作，产生的热量足以让芯片内部温度飙升，导致漏电流急剧增加，逻辑电平出现严重漂移…”

“而且，现有的布线工艺在如此高密度的集成下，寄生电容和信号延迟也让数据传输变得极不稳定…”

卓邵文不断提出研制可能的问题，哪怕设计的版图方案仿真能过，但实际的芯片性能却根本满足不了预期。

“我知道了。”

沈永健翻看着报告，心中了然，这会儿打断了卓邵文的担忧。

“邵文同志，别担心。”

“集成这个方向没错，你们暂时在版图和工艺上做得优化方向也没错，但治标不治本。”

放下报告，沈永健目光平静地笃定道。

“问题不在设计上，在晶体管本身。”

…

“晶体管本身？”

卓邵文愣了一下，似乎没料到会是在这一块做新思路的研制。

“对！”

沈永健拿起笔，迅速在草稿纸上画起晶体管的示意图。

微电子领域的发展方向，他脑中早已有了完整的路线，对于中途可能遭遇的问题也早有考量。

几乎是卓邵文提出问题的瞬间，他心中就已经有了答案与思路。

“P场效应管也好，还是原先的双极晶体管，既然不满足目前需求，那就得改嘛！”

“其实思路我早有跟你沟通过…”

…

“永健同志，你是说换N管？”

…

“换N管也行，不过还可以考虑NP互补的场效应管。”

国内晶体管如今种类不少，不过实际用在集成电路的还是双极晶体管与P场效应管。

而按原先发展的顺序，还需要经历N场效应管的集成时期。

不过依照他目前对国内集成电路工艺的判断，倒是可以试着再进一步，直接研发NP互补的场效应管。

“互补管？咱们目前能干么？”

卓邵文作为微电子所实际研制工作的二把手，对于这晶体管的方向理论自然心中也有概念，沈永健年前的一篇文章中就有提过。

不过当时论文也言明了条件苛刻，工艺要求高，他看了文章后也没多想，没想到如今这么快就有了尝试的必要。